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ES3JHM6G

ES3JHM6G

참조 용

부품 번호 ES3JHM6G
PNEDA 부품 번호 ES3JHM6G
설명 DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 6,984
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 30 - 5월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ES3JHM6G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ES3JHM6G
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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ES3JHM6G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io)3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.7V @ 3A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AB, SMC
공급자 장치 패키지DO-214AB (SMC)
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

6A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 6A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

110µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

190pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-PowerTSFN

공급자 장치 패키지

PG-VSON-4

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

FR12GR05

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 유형

Standard, Reverse Polarity

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

800mV @ 12A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

500ns

전류-역방향 누설 @ Vr

25µA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis, Stud Mount

패키지 / 케이스

DO-203AA, DO-4, Stud

공급자 장치 패키지

DO-4

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

1N6640

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

TVR10G-5700E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

STPSC20065DY

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

20A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 20A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

1250pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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