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ESH2B-M3/5BT

ESH2B-M3/5BT

참조 용

부품 번호 ESH2B-M3/5BT
PNEDA 부품 번호 ESH2B-M3-5BT
설명 DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 5,994
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ESH2B-M3/5BT 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ESH2B-M3/5BT
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
ESH2B-M3/5BT, ESH2B-M3/5BT 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 87.01 KB)
PDFESH2D-M3/52T 데이터 시트 표지
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  • ESH2B-M3/5BT Distributor

ESH2B-M3/5BT 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)100V
전류-평균 정류 (Io)2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If930mV @ 2A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)35ns
전류-역방향 누설 @ Vr2µA @ 100V
커패시턴스 @ Vr, F30pF @ 4V, 1MHz
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지DO-214AA (SMB)
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-

VS-8EWH06FNTRLHM3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

Automotive, AEC-Q101, FRED Pt®

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

2.4V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

25ns

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 600V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

SF1606PTHC0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

400V

전류-평균 정류 (Io)

16A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 400V

커패시턴스 @ Vr, F

85pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (TO-3P)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

IDDD06G65C6XTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™+

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

18A (DC)

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

20µA @ 420V

커패시턴스 @ Vr, F

302pF @ 1V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-PowerSOP Module

공급자 장치 패키지

PG-HDSOP-10-1

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

US1KFA

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

800V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.7V @ 1A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

75ns

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 800V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

SOD-123FA

작동 온도-접합

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