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F3L400R07ME4B22BOSA1

F3L400R07ME4B22BOSA1

참조 용

부품 번호 F3L400R07ME4B22BOSA1
PNEDA 부품 번호 F3L400R07ME4B22BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 650V 400A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,770
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 8 - 3월 13 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

F3L400R07ME4B22BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F3L400R07ME4B22BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
F3L400R07ME4B22BOSA1, F3L400R07ME4B22BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 767.6 KB)
PDFF3L400R07ME4B22BOSA1 데이터 시트 표지
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F3L400R07ME4B22BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)450A
전력-최대1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce26nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

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장착 유형

Chassis Mount

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IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

280A

전력-최대

890W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

310W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.056nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

7PM-GA

공급자 장치 패키지

7PM-GA

FMG2G300US60E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

892W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

7PM-HA

공급자 장치 패키지

7PM-HA

APTGF50TA120PG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Three Phase

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.45nF @ 25V

입력

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