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F3L400R07ME4B23BOSA1

F3L400R07ME4B23BOSA1

참조 용

부품 번호 F3L400R07ME4B23BOSA1
PNEDA 부품 번호 F3L400R07ME4B23BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 650V 400A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,920
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

F3L400R07ME4B23BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F3L400R07ME4B23BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
F3L400R07ME4B23BOSA1, F3L400R07ME4B23BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 770.04 KB)
PDFF3L400R07ME4B23BOSA1 데이터 시트 표지
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F3L400R07ME4B23BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성2 Independent
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)450A
전력-최대1150W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.95V @ 15V, 400A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce26nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Infineon Technologies

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IGBT 유형

Trench Field Stop

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Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

38nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전력-최대

290W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 55A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

V1A-PAK

공급자 장치 패키지

V1A-PAK

FS300R17OE4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoPACK™+

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1850W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTGF300SK120D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

420A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D-3 Module

공급자 장치 패키지

D3

BSM200GB170DLCHOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

1660W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

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