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F475R12KS4BOSA1

F475R12KS4BOSA1

참조 용

부품 번호 F475R12KS4BOSA1
PNEDA 부품 번호 F475R12KS4BOSA1
설명 IGBT MODULE VCES 600V 75A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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F475R12KS4BOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호F475R12KS4BOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
F475R12KS4BOSA1, F475R12KS4BOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 456.52 KB)
PDFF475R12KS4BOSA1 데이터 시트 표지
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  • F475R12KS4BOSA1 Distributor

F475R12KS4BOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Three Phase Inverter
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전력-최대500W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.75V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.1nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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600V

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75A

전력-최대

310W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

7.056nF @ 30V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

1562W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 360A

전류-수집기 차단 (최대)

200µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

APTGT300H60G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

1150W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

350µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

24nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

FZ3600R12HP4HOSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

4930A

전력-최대

19000W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 3600A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

225nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F3L300R12MT4B23BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

EconoDUAL™ 3

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1550W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

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