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FA38SA50LC

FA38SA50LC

참조 용

부품 번호 FA38SA50LC
PNEDA 부품 번호 FA38SA50LC
설명 MOSFET N-CH 500V 38A SOT-227
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 4,482
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FA38SA50LC 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FA38SA50LC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FA38SA50LC, FA38SA50LC 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 173.08 KB)
PDFFA38SA50LC 데이터 시트 표지
FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 2 FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 3 FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 4 FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 5 FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 6 FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 7 FA38SA50LC 데이터 시트 페이지 8

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  • FA38SA50LC Distributor

FA38SA50LC 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈HEXFET®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs130mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs420nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6900pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SOT-227
패키지 / 케이스SOT-227-4, miniBLOC

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제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 32A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.65V @ 700µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

42nC @ 8V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2197pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

178W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

FCU3400N80Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

32W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

FQU10N20LTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 51W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRLB3036GPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

195A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 165A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11210pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

380W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IRL3803VSPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 71A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

76nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3720pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Surface Mount

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SMAJ15CA

SMAJ15CA

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ADUC7026BSTZ62

ADUC7026BSTZ62

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F951E106MAAAQ2

F951E106MAAAQ2

CAP TANT 10UF 20% 25V 1206

LTM8074IY#PBF

LTM8074IY#PBF

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IC REG BUCK ADJ 1.2A 25BGA

LT1965EDD#PBF

LT1965EDD#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 1.1A 8DFN

SMBJ36A

SMBJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMB