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FAM65HR51DS2

FAM65HR51DS2

참조 용

부품 번호 FAM65HR51DS2
PNEDA 부품 번호 FAM65HR51DS2
설명 IC PIM BOOST CONVERTER
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,574
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FAM65HR51DS2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FAM65HR51DS2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FAM65HR51DS2, FAM65HR51DS2 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 595.64 KB)
PDFFAM65HR51DS2 데이터 시트 표지
FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 2 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 3 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 4 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 5 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 6 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 7 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 8 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 9 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 10 FAM65HR51DS2 데이터 시트 페이지 11

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FAM65HR51DS2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

385W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FB20R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

29A

전력-최대

94W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

1.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS10R12VT3BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전력-최대

64W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 10A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

700pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F3L50R06W1E3B11BOMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

175W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FZ3600R17HP4B2BOSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

-

NTC 서미스터

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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