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FAM65V05DF1

FAM65V05DF1

참조 용

부품 번호 FAM65V05DF1
PNEDA 부품 번호 FAM65V05DF1
설명 AUTOMOTIVE POWER MODULE
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $414.2588
50 ---------- $394.8404
100 ---------- $375.4221
200 ---------- $356.0037
400 ---------- $339.8217
500 ---------- $323.6397
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FAM65V05DF1 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FAM65V05DF1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FAM65V05DF1, FAM65V05DF1 데이터 시트 (총 페이지: 19, 크기: 1,075.94 KB)
PDFFAM65V05DF1 데이터 시트 표지
FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 2 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 3 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 4 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 5 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 6 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 7 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 8 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 9 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 10 FAM65V05DF1 데이터 시트 페이지 11

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FAM65V05DF1 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Auto SPM®
IGBT 유형-
구성Three Phase
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전력-최대333W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.65V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)3µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 175°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스27-PowerDIP Module (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지27-DIP Module (44x26.8)

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Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

312W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

450A

전력-최대

1560W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 360A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

17nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

D4

공급자 장치 패키지

D4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전력-최대

405W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

POWIR® 34 Module

공급자 장치 패키지

POWIR® 34

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

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IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

148A

전력-최대

500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

25µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

5.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

ISOTOP

공급자 장치 패키지

ISOTOP®

APTGT150A120T3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

220A

전력-최대

833W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

10.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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