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FC6943010R

FC6943010R

참조 용

부품 번호 FC6943010R
PNEDA 부품 번호 FC6943010R
설명 MOSFET 2N-CH 30V 0.1A SSMINI6
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 69,846
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FC6943010R 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FC6943010R
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FC6943010R, FC6943010R 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 296.28 KB)
PDFFC6943010R 데이터 시트 표지
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  • FC6943010R Distributor

FC6943010R 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds12pF @ 3V
전력-최대125mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SOT-563, SOT-666
공급자 장치 패키지SSMini6-F3-B

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Rohm Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI7222DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 20V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

IRF5850TR

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 15V

전력-최대

960mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

SH8K2TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Gull Wing

공급자 장치 패키지

8-SOP (5.0x6.0)

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A (Ta), 5.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.5A, 10V, 42mOhm @ 5.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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