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FCPF190N65S3R0L

FCPF190N65S3R0L

참조 용

부품 번호 FCPF190N65S3R0L
PNEDA 부품 번호 FCPF190N65S3R0L
설명 SUPERFET3 650V TO220F PKG
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 23,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FCPF190N65S3R0L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FCPF190N65S3R0L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FCPF190N65S3R0L, FCPF190N65S3R0L 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 378.73 KB)
PDFFCPF190N65S3R0L 데이터 시트 표지
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FCPF190N65S3R0L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈SuperFET® III
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 1.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1350pF @ 400V
FET 기능-
전력 손실 (최대)144W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F-3
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

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55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

85.6nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5082pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 33µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

AOT7S65L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

aMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

650mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

434pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI6473DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.08W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

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Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.47W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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