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FD-DF80R12W1H3_B52

FD-DF80R12W1H3_B52

참조 용

부품 번호 FD-DF80R12W1H3_B52
PNEDA 부품 번호 FD-DF80R12W1H3_B52
설명 IGBT MODULE VCES 1200V 40A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,806
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FD-DF80R12W1H3_B52 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FD-DF80R12W1H3_B52
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FD-DF80R12W1H3_B52, FD-DF80R12W1H3_B52 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,115.3 KB)
PDFFD-DF80R12W1H3_B52 데이터 시트 표지
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FD-DF80R12W1H3_B52 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전력-최대215W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
전류-수집기 차단 (최대)1mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce235nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-40°C ~ 125°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 400A (Typ)

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

32.7nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 4)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

FZ1200R17HE4PHPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

1200A

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 1200A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

97nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IFS200B12N3E4B31BPSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전력-최대

940W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

CM300DY-24H

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제조업체

Powerex Inc.

시리즈

IGBTMOD™

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

60nF @ 10V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF150R12KE3GB2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

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NTC 서미스터

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작동 온도

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