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FD800R17KF6CB2NOSA1

FD800R17KF6CB2NOSA1

참조 용

부품 번호 FD800R17KF6CB2NOSA1
PNEDA 부품 번호 FD800R17KF6CB2NOSA1
설명 IGBT MODULE 1700V 800A
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,960
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FD800R17KF6CB2NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FD800R17KF6CB2NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
FD800R17KF6CB2NOSA1, FD800R17KF6CB2NOSA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 490.87 KB)
PDFFD800R17KF6CB2NOSA1 데이터 시트 표지
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  • FD800R17KF6CB2NOSA1 Distributor

FD800R17KF6CB2NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈*
IGBT 유형-
구성-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)-
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전력-최대-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic-
전류-수집기 차단 (최대)-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce-
입력-
NTC 서미스터-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전력-최대

416W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

IXEN60N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

445W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 60A

전류-수집기 차단 (최대)

800µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227B

FF450R07ME4B11BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

2 Independent

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

560A

전력-최대

1450W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

27.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

F1235R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

210W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

675A

전력-최대

2250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

3mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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