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FD800R33KL2CKB5NOSA1

FD800R33KL2CKB5NOSA1

참조 용

부품 번호 FD800R33KL2CKB5NOSA1
PNEDA 부품 번호 FD800R33KL2CKB5NOSA1
설명 IGBT MODULE 3300V IHV 190MM
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,356
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FD800R33KL2CKB5NOSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FD800R33KL2CKB5NOSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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FD800R33KL2CKB5NOSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Dual Brake Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)3300V
전류-수집기 (Ic) (최대)1500A
전력-최대9800W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.65V @ 15V, 800A
전류-수집기 차단 (최대)5mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce97nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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시리즈

-

IGBT 유형

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구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2154pF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

ACEPACK™ 1

제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

58A

전력-최대

200W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 35A

전류-수집기 차단 (최대)

500µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.53nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

E1

공급자 장치 패키지

E1

FP50R12KT4B16BOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

280W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

FS100R12KT4GBOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Three Phase Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

515W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

IRG7U150HF12B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

300A

전력-최대

900W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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