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FDB8447L

FDB8447L

참조 용

부품 번호 FDB8447L
PNEDA 부품 번호 FDB8447L
설명 MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 21,336
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDB8447L 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDB8447L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDB8447L, FDB8447L 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 490.23 KB)
PDFFDB8447L 데이터 시트 표지
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FDB8447L 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.5mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs52nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2620pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3.1W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지TO-263AB
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

79A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

107nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5870pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

310W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-263AB

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12.1nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

693pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

59.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

LFPAK56, Power-SO8

패키지 / 케이스

SC-100, SOT-669

AOL1428A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.4A (Ta), 49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8mOhm @ 12.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

22nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1300pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.1W (Ta), 93W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

UltraSO-8™

패키지 / 케이스

3-PowerSMD, Flat Leads

IRLR120NTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

185mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 5V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

440pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

48W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IXFY4N60P3

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, Polar3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.9nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

365pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

114W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

TO-252

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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