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FDB86360_SN00307

FDB86360_SN00307

참조 용

부품 번호 FDB86360_SN00307
PNEDA 부품 번호 FDB86360_SN00307
설명 MOSFET N-CH 80V
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDB86360_SN00307 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDB86360_SN00307
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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FDB86360_SN00307 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)110A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs253nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14600pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)333W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

390nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6790pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

580W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 1.1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

208W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

156mOhm @ 6.7A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.6V @ 3.33mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -4V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

460pF @ 500V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

103W

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175°C (TJ)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

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작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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