FDC5661N-F085
참조 용
| 부품 번호 | FDC5661N-F085 |
| PNEDA 부품 번호 | FDC5661N-F085 |
| 설명 | MOSFET N-CH 60V 6-SSOT |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 631,398 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 12 - 4월 17 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDC5661N-F085 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDC5661N-F085 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDC5661N-F085 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.3A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 763pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1.6W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SuperSOT™-6 |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 480mOhm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 350pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1081pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 900mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2782pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 83W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 200mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.4nC @ 5V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.7W (Ta), 43W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFET™, PolarHV™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 74A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 77mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 4mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 165nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9900pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1400W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스 TO-264-3, TO-264AA |
