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FDC6000NZ_F077

FDC6000NZ_F077

참조 용

부품 번호 FDC6000NZ_F077
PNEDA 부품 번호 FDC6000NZ_F077
설명 MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 6-SSOP
제조업체 ON Semiconductor
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FDC6000NZ_F077 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDC6000NZ_F077
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
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FDC6000NZ_F077 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs11nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds840pF @ 10V
전력-최대1.2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
공급자 장치 패키지SuperSOT™-6 FLMP

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Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 30V

전력-최대

25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Ta), 4.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 7.4A, 10V, 45mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.6nC, 5.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

501pF, 590pF @ 15V, 25V

전력-최대

1.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SI6966DQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

DMNH4015SSDQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.6A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1938pF @ 15V

전력-최대

1.4W, 2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 47.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

300nC @ 10V

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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