FDC6561AN
참조 용
| 부품 번호 | FDC6561AN |
| PNEDA 부품 번호 | FDC6561AN |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 223,800 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDC6561AN 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDC6561AN |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDC6561AN 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 2.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.2nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 220pF @ 15V |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | SuperSOT™-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 25A Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 736pF @ 15V 전력-최대 6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 5-XFLGA 공급자 장치 패키지 5-PTAB (3x2.5) |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 690pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 5.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.23nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 48pF @ 5V 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
