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FDD6632

FDD6632

참조 용

부품 번호 FDD6632
PNEDA 부품 번호 FDD6632
설명 MOSFET N-CH 30V 9A D-PAK
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,758
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예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDD6632 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDD6632
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDD6632, FDD6632 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 273.93 KB)
PDFFDD6632 데이터 시트 표지
FDD6632 데이터 시트 페이지 2 FDD6632 데이터 시트 페이지 3 FDD6632 데이터 시트 페이지 4 FDD6632 데이터 시트 페이지 5 FDD6632 데이터 시트 페이지 6 FDD6632 데이터 시트 페이지 7 FDD6632 데이터 시트 페이지 8 FDD6632 데이터 시트 페이지 9 FDD6632 데이터 시트 페이지 10 FDD6632 데이터 시트 페이지 11

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  • FDD6632 Distributor

FDD6632 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈UltraFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs4nC @ 5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds255pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)15W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지D-PAK (TO-252)
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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STMicroelectronics

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

72W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFR9214TRPBF

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

220pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

50W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFB17N20D

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

NDB6020P

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

24A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 12A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1590pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AO3418L_101

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.4W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

패키지 / 케이스

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