FDD6682
참조 용
| 부품 번호 | FDD6682 |
| PNEDA 부품 번호 | FDD6682 |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 75A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,732 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDD6682 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDD6682 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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FDD6682 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2400pF @ 15V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 71W (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D-PAK (TO-252) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™ FET 유형 N-Channel 기술 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs 455mOhm @ 2A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id 5.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.3nC @ 18V Vgs (최대) +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 182pF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 60W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.4mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 55µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 88nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6100pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 107W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO252-3 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.3A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.8V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 47nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2210pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 DIRECTFET™ MN 패키지 / 케이스 DirectFET™ Isometric MN |
