FDD6760A
참조 용
| 부품 번호 | FDD6760A |
| PNEDA 부품 번호 | FDD6760A |
| 설명 | MOSFET NCH 25V 27A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,614 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 27 - 3월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDD6760A 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDD6760A |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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FDD6760A 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 27A (Ta), 50A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 27A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3170pF @ 13V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 3.7W (Ta), 65W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D-PAK (TO-252) |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30mA (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1000Ohm @ 500µA, 0V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 740mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-92-3 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 61A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.3mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.45V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37.2nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2191pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 91W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK33 패키지 / 케이스 SOT-1210, 8-LFPAK33 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1.037mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 39nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1600pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.8W (Ta), 4.2W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-SOT223-4 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 SIPMOS® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 230mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 0V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5Ohm @ 160mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 26µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.9nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 44pF @ 25V FET 기능 Depletion Mode 전력 손실 (최대) 360mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 180A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.8V @ 279µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 210nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 15600pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 375W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TO263-7 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
