FDD8770
참조 용
| 부품 번호 | FDD8770 |
| PNEDA 부품 번호 | FDD8770 |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,436 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDD8770 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDD8770 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDD8770 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3720pF @ 13V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 115W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252AA |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 985pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.57nC @ 10V Vgs (최대) ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6.6pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 250mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 3-SPA 패키지 / 케이스 SC-72 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 3.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 190nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2800pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 190W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 52mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1630pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 163W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-3P 패키지 / 케이스 TO-3P-3, SC-65-3 |
