FDD8796
참조 용
| 부품 번호 | FDD8796 |
| PNEDA 부품 번호 | FDD8796 |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 35A DPAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,888 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 6 - 5월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDD8796 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDD8796 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDD8796 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 35A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 52nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2610pF @ 13V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 88W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | TO-252AA |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 0.77mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 287nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 22945pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 429W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스 8-PowerSFN |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 95.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22.9nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2786pF @ 12V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 62.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 LFPAK56, Power-SO8 패키지 / 케이스 SC-100, SOT-669 |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 108mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 660pF @ 10V FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 1.7W (Ta), 2.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 E FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 440mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 88nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1670pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 34W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220 Full Pack 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack |
