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FDG6303N

FDG6303N

참조 용

부품 번호 FDG6303N
PNEDA 부품 번호 FDG6303N
설명 MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 1,546,062
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDG6303N 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDG6303N
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDG6303N, FDG6303N 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 266.53 KB)
PDFFDG6303N 데이터 시트 표지
FDG6303N 데이터 시트 페이지 2 FDG6303N 데이터 시트 페이지 3 FDG6303N 데이터 시트 페이지 4 FDG6303N 데이터 시트 페이지 5 FDG6303N 데이터 시트 페이지 6 FDG6303N 데이터 시트 페이지 7 FDG6303N 데이터 시트 페이지 8

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FDG6303N 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SC-70-6)

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

ALD1101BPAL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

8-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

8-PDIP

CAS120M12BM2

Cree/Wolfspeed

제조업체

Cree/Wolfspeed

시리즈

Z-Rec®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

193A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 120A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 6mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

378nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6300pF @ 1000V

전력-최대

925W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

SP8M5FU6TB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

520pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.8nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

830pF @ 30V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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