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FDG6303N-F169

FDG6303N-F169

참조 용

부품 번호 FDG6303N-F169
PNEDA 부품 번호 FDG6303N-F169
설명 MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDG6303N-F169 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDG6303N-F169
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDG6303N-F169, FDG6303N-F169 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 528.3 KB)
PDFFDG6303N-F169 데이터 시트 표지
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FDG6303N-F169 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)500mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds50pF @ 10V
전력-최대300mW (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SC-70-6)

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

36mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

735pF @ 25V

전력-최대

34W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

CSD86336Q3D

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제조업체

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V

전력-최대

6W

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

제조업체

EPC

시리즈

eGaN®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.3mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 5.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

800pF @ 50V

전력-최대

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

BUK9K32-100EX

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27.3nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3168pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

Vgs (th) (최대) @ Id

5.55V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1840pF @ 800V

전력-최대

20mW (Tc)

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

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