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FDG6322C

FDG6322C

참조 용

부품 번호 FDG6322C
PNEDA 부품 번호 FDG6322C
설명 MOSFET N/P-CH 25V SC70-6
제조업체 ON Semiconductor
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예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDG6322C 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDG6322C
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDG6322C, FDG6322C 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 250.48 KB)
PDFFDG6322C_D87Z 데이터 시트 표지
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FDG6322C 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)220mA, 410mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9.5pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SC-88 (SC-70-6)

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Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NTHD3100CT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 3.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

165pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

ChipFET™

TPCL4201(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

720pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-XFLGA

공급자 장치 패키지

4-Chip LGA (1.59x1.59)

TSM3911DCX6 RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.23nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

882.51pF @ 6V

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6

공급자 장치 패키지

SOT-26

ZXMC3AM832TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

190pF @ 25V

전력-최대

1.7W

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-MLP (3x3)

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