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FDH333TR

FDH333TR

참조 용

부품 번호 FDH333TR
PNEDA 부품 번호 FDH333TR
설명 DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 105,912
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDH333TR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDH333TR
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
FDH333TR, FDH333TR 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 274.22 KB)
PDFFDH333_T50R 데이터 시트 표지
FDH333_T50R 데이터 시트 페이지 2 FDH333_T50R 데이터 시트 페이지 3 FDH333_T50R 데이터 시트 페이지 4 FDH333_T50R 데이터 시트 페이지 5 FDH333_T50R 데이터 시트 페이지 6

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FDH333TR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)125V
전류-평균 정류 (Io)200mA
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.15V @ 300mA
속도Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr3nA @ 125V
커패시턴스 @ Vr, F6pF @ 0V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35
작동 온도-접합175°C (Max)

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제조업체

STMicroelectronics

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

650V

전류-평균 정류 (Io)

12A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.45V @ 12A

속도

No Recovery Time > 500mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

0ns

전류-역방향 누설 @ Vr

150µA @ 650V

커패시턴스 @ Vr, F

750pF @ 0V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2

공급자 장치 패키지

TO-220AC

작동 온도-접합

-40°C ~ 175°C

CDBP0130R-G

Comchip Technology

제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

100mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 10mA

속도

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 10V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-723

공급자 장치 패키지

SOD-723

작동 온도-접합

125°C (Max)

FR302-AP

Micro Commercial Co

제조업체

Micro Commercial Co

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 40V

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

150ns

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

65pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-201AD, Axial

공급자 장치 패키지

DO-201AD

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SBR8E20P5-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Super Barrier

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

8A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

450mV @ 8A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerDI™ 5

공급자 장치 패키지

PowerDI™ 5

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

ES3D V6G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

35ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

45pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

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