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FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

참조 용

부품 번호 FDJ128N_F077
PNEDA 부품 번호 FDJ128N_F077
설명 MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDJ128N_F077 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDJ128N_F077
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDJ128N_F077, FDJ128N_F077 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 174.65 KB)
PDFFDJ128N_F077 데이터 시트 표지
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FDJ128N_F077 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs8nC @ 5V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds543pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.6W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지SC75-6 FLMP
패키지 / 케이스SC75-6 FLMP

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

175mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 8µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.7nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

228pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

560mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT363-6

패키지 / 케이스

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

GP2M005A050PG

Global Power Technologies Group

제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

645pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

98.4W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I-PAK

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

IRFL110TR

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 900mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 3.1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-223

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

AON6452L

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

SDMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A (Ta), 26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2200pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 35W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN-EP (5x6)

패키지 / 케이스

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SCT2160KEC

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Rohm Semiconductor

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-

FET 유형

N-Channel

기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

18V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

208mOhm @ 7A, 18V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

62nC @ 18V

Vgs (최대)

+22V, -6V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

165W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

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