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FDMC2512SDC

FDMC2512SDC

참조 용

부품 번호 FDMC2512SDC
PNEDA 부품 번호 FDMC2512SDC
설명 MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,762
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 28 - 5월 3 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMC2512SDC 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMC2512SDC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMC2512SDC, FDMC2512SDC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 336.56 KB)
PDFFDMC2512SDC 데이터 시트 표지
FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 2 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 3 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 4 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 5 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 6 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 7 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 8 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 9 FDMC2512SDC 데이터 시트 페이지 10

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FDMC2512SDC 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)32A (Ta), 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4410pF @ 13V
FET 기능-
전력 손실 (최대)3W (Ta), 66W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Dual Cool ™ 33
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1A (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 270µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Sawn on foil

패키지 / 케이스

Die

SIPC10N65C3X1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

NTMYS8D0N04CTWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

IRF830A

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

620pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

74W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

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2SK536-TB-E

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20Ohm @ 10mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200mW (Ta)

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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