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FDMC6686P

FDMC6686P

참조 용

부품 번호 FDMC6686P
PNEDA 부품 번호 FDMC6686P
설명 MOSFET P-CH 20V POWER33
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 103,368
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMC6686P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMC6686P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMC6686P, FDMC6686P 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 330.17 KB)
PDFFDMC6686P 데이터 시트 표지
FDMC6686P 데이터 시트 페이지 2 FDMC6686P 데이터 시트 페이지 3 FDMC6686P 데이터 시트 페이지 4 FDMC6686P 데이터 시트 페이지 5 FDMC6686P 데이터 시트 페이지 6 FDMC6686P 데이터 시트 페이지 7 FDMC6686P 데이터 시트 페이지 8

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FDMC6686P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)18A (Ta), 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs4mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs122nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds13200pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.3W (Ta), 40W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-PQFN (3.3x3.3), Power33
패키지 / 케이스8-PowerWDFN

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

365mOhm @ 4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

764pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

57W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6) HV

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

24V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3440pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta), 110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

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BSC350N20NSFDATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2410pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-1

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

RJK5012DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

620mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1100pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

30W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

65nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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