FDMD8280
참조 용
| 부품 번호 | FDMD8280 |
| PNEDA 부품 번호 | FDMD8280 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,646 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 31 - 4월 5 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDMD8280 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMD8280 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDMD8280 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 80V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8.2mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 44nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3050pF @ 40V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 12-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 12-Power3.3x5 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A, 27A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1240pF @ 13V 전력-최대 800mW, 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Powerclip-33 |
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