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FDMD8280

FDMD8280

참조 용

부품 번호 FDMD8280
PNEDA 부품 번호 FDMD8280
설명 MOSFET 2N-CH 80V 11A 6-MLP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 18 - 2월 23 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMD8280 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMD8280
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMD8280, FDMD8280 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 635.09 KB)
PDFFDMD8280 데이터 시트 표지
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FDMD8280 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)11A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs44nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3050pF @ 40V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스12-PowerWDFN
공급자 장치 패키지12-Power3.3x5

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

536pF @ 10V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A (Ta), 145A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.65mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 90µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3170pF @ 25V

전력-최대

3.5W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

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SSM6N61NU,LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

410pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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EM6K31T2R

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

15pF @ 25V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

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2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.7A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1230pF @ 10V

전력-최대

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