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FDMS7602S

FDMS7602S

참조 용

부품 번호 FDMS7602S
PNEDA 부품 번호 FDMS7602S
설명 MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,600
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 27 - 12월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS7602S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS7602S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMS7602S, FDMS7602S 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 484.5 KB)
PDFFDMS7602S 데이터 시트 표지
FDMS7602S 데이터 시트 페이지 2 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 3 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 4 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 5 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 6 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 7 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 8 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 9 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 10 FDMS7602S 데이터 시트 페이지 11

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FDMS7602S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)12A, 17A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs28nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1750pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지Power56

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시리즈

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A, 22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

40mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

70nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2250pF @ 25V

전력-최대

125W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 30V

전력-최대

3.7W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD83325LT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

1.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA

공급자 장치 패키지

6-PicoStar

STL7DN6LF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ III

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

43mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

432pF @ 25V

전력-최대

52W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

FDMJ1032C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.2A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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