FDMS7606
참조 용
| 부품 번호 | FDMS7606 | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | FDMS7606 | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 11.5A/12A PWR56 | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 125 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 3월 7 - 3월 12 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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FDMS7606 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDMS7606 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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FDMS7606 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 11.5A, 12A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11.4mOhm @ 11.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1400pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | Power56 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 93mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 560pF @ 20V 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolSiC™+ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 50A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 5.55V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 125nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3950pF @ 800V 전력-최대 20mW 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V, 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 571mA (Ta), 304mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.7Ohm @ 500mA, 10V, 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.4nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30pF @ 25V, 26pF @ 25V 전력-최대 510mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A Rds On (최대) @ Id, Vgs 14.3mOhm @ 4A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4.6nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 662pF @ 15V 전력-최대 6W 작동 온도 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON (3.3x3.3) |
