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FDMS7660

FDMS7660

참조 용

부품 번호 FDMS7660
PNEDA 부품 번호 FDMS7660
설명 MOSFET N-CH 30V 25A POWER56
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 25,824
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 29 - 5월 4 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS7660 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS7660
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMS7660, FDMS7660 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 385.64 KB)
PDFFDMS7660 데이터 시트 표지
FDMS7660 데이터 시트 페이지 2 FDMS7660 데이터 시트 페이지 3 FDMS7660 데이터 시트 페이지 4 FDMS7660 데이터 시트 페이지 5 FDMS7660 데이터 시트 페이지 6 FDMS7660 데이터 시트 페이지 7 FDMS7660 데이터 시트 페이지 8

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FDMS7660 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)25A (Ta), 42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs2.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs84nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5565pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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제조업체

Sanken

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8mOhm @ 58.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63.2nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3910pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

116W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

IMW120R045M1XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

CoolSiC™

FET 유형

N-Channel

기술

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1.2kV

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

52A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

15V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

59mOhm @ 20A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

5.7V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 15V

Vgs (최대)

+20V, -10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1.9nF @ 800V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

228W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3-41

패키지 / 케이스

TO-247-3

SIS892ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

HUFA76609D3ST_F085

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

160mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

425pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

49W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.9Ohm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2590pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

300W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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