FDN338P_G
참조 용
| 부품 번호 | FDN338P_G |
| PNEDA 부품 번호 | FDN338P_G |
| 설명 | INTEGRATED CIRCUIT |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,310 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDN338P_G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDN338P_G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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FDN338P_G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | P-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.6A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 451pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 500mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SuperSOT-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Transphorm 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 350mOhm @ 5.5A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.3nC @ 4.5V Vgs (최대) ±18V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 760pF @ 480V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 65W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 99A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 49.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14000pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 781W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 공급자 장치 패키지 SP4 패키지 / 케이스 SP4 |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 C2M™ FET 유형 N-Channel 기술 SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 50A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 18mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 188nC @ 20V Vgs (최대) +25V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3672pF @ 1kV FET 기능 - 전력 손실 (최대) 520W (Tc) 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247-3 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.8A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 56.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4468pF @ 50V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.5W (Ta), 166W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 MDmesh™ V FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 46A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 59mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 139nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6810pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 255W (Tc) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
