FDP75N08
참조 용
| 부품 번호 | FDP75N08 |
| PNEDA 부품 번호 | FDP75N08 |
| 설명 | MOSFET N-CH 75V 75A TO-220 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,538 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDP75N08 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDP75N08 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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FDP75N08 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | UniFET™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 75V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 75A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 37.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4468pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 131W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | TO-220-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs 104mOhm @ 10A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id 5.6V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 60nC @ 18V Vgs (최대) +22V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 785pF @ 800V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 165W 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-247N 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
제조업체 Panasonic Electronic Components 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 12.5mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.05V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3000pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 3-PMCP 패키지 / 케이스 3-SMD, Non-Standard |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 93nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3500pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 214W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.45mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.3V @ 120µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 104nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8125pF @ 30V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3W (Ta), 188W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8 FL 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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