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FDPF33N25T

FDPF33N25T

참조 용

부품 번호 FDPF33N25T
PNEDA 부품 번호 FDPF33N25T
설명 MOSFET N-CH 250V 33A TO-220F
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 23,172
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDPF33N25T 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDPF33N25T
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDPF33N25T, FDPF33N25T 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 526.47 KB)
PDFFDPF33N25TRDTU 데이터 시트 표지
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FDPF33N25T 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈UniFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs94mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs48nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2135pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)37W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220F
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

45V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26.5nC @ 5V

Vgs (최대)

20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1830pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta)

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

AON6482

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A (Ta), 28A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

37mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2000pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 63W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-DFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerSMD, Flat Leads

BSP320SL6433HTMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

SIPMOS®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 2.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

340pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PG-SOT223-4

패키지 / 케이스

TO-261-4, TO-261AA

IRL630A

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 4.5A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

755pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

69W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI7620DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

13A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

126mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

600pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 5.2W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

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PowerPAK® 1212-8

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