FDR8305N
참조 용
| 부품 번호 | FDR8305N |
| PNEDA 부품 번호 | FDR8305N |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,208 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDR8305N 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDR8305N |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDR8305N 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | SuperSOT™-8 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 450mV @ 250µA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 175pF @ 10V 전력-최대 1.25W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 공급자 장치 패키지 TSMT5 |
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