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FDR8702H

FDR8702H

참조 용

부품 번호 FDR8702H
PNEDA 부품 번호 FDR8702H
설명 MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,264
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 5 - 2월 10 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDR8702H 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDR8702H
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDR8702H, FDR8702H 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 199.76 KB)
PDFFDR8702H 데이터 시트 표지
FDR8702H 데이터 시트 페이지 2 FDR8702H 데이터 시트 페이지 3 FDR8702H 데이터 시트 페이지 4 FDR8702H 데이터 시트 페이지 5 FDR8702H 데이터 시트 페이지 6 FDR8702H 데이터 시트 페이지 7 FDR8702H 데이터 시트 페이지 8

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FDR8702H 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.6A, 2.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs38mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 10V
전력-최대800mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
공급자 장치 패키지SuperSOT™-8

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

155mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-MicroFET (2x2)

BUK7K6R8-40E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1947pF @ 25V

전력-최대

64W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

공급자 장치 패키지

LFPAK56D

SIA950DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

LITTLE FOOT®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

190V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

950mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

90pF @ 100V

전력-최대

7W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

DMN2004DWK-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

200mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

APTM50DHM65TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

51A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

78mOhm @ 25.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7000pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

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