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FDS3601

FDS3601

참조 용

부품 번호 FDS3601
PNEDA 부품 번호 FDS3601
설명 MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,868
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 21 - 2월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS3601 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS3601
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS3601, FDS3601 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 89.16 KB)
PDFFDS3601 데이터 시트 표지
FDS3601 데이터 시트 페이지 2 FDS3601 데이터 시트 페이지 3 FDS3601 데이터 시트 페이지 4 FDS3601 데이터 시트 페이지 5

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FDS3601 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs480mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds153pF @ 50V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

310pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

84mOhm @ 42A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

340nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10800pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

860mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

150mOhm @ 950mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.56nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

200pF @ 16V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

PMDPB85UPE,115

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

103mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

514pF @ 10V

전력-최대

515mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Rohm Semiconductor

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.2Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

26pF @ 10V

전력-최대

120mW

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