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FDS4559

FDS4559

참조 용

부품 번호 FDS4559
PNEDA 부품 번호 FDS4559
설명 MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 164,976
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS4559 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS4559
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS4559, FDS4559 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 516.45 KB)
PDFFDS4559 데이터 시트 표지
FDS4559 데이터 시트 페이지 2 FDS4559 데이터 시트 페이지 3 FDS4559 데이터 시트 페이지 4 FDS4559 데이터 시트 페이지 5 FDS4559 데이터 시트 페이지 6 FDS4559 데이터 시트 페이지 7 FDS4559 데이터 시트 페이지 8

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FDS4559 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4.5A, 3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds650pF @ 25V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

240mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.36nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

27.9pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

GA100SCPL12-227E

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

EFC6601R-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, FCBGA

공급자 장치 패키지

EFCP2718-6CE-020

IRF7904PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.2mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

전력-최대

1.4W, 2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BUK9K18-40E,115

Nexperia

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1061pF @ 25V

전력-최대

38W

작동 온도

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