FDS6875
참조 용
| 부품 번호 | FDS6875 |
| PNEDA 부품 번호 | FDS6875 |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 6A 8SOIC |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 56,400 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDS6875 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDS6875 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDS6875 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 31nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2250pF @ 10V |
| 전력-최대 | 900mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SOIC |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 5.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1082pF @ 10V 전력-최대 600mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A, 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 690pF @ 10V 전력-최대 2.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 350mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 32pF @ 30V 전력-최대 320mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15.4A, 29.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1960pF @ 15V 전력-최대 1.13W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 208A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 104A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 280nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 14400pF @ 25V 전력-최대 781W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6 |
