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FDS6984S

FDS6984S

참조 용

부품 번호 FDS6984S
PNEDA 부품 번호 FDS6984S
설명 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,318
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 16 - 2월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS6984S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS6984S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS6984S, FDS6984S 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 552.08 KB)
PDFFDS6984S 데이터 시트 표지
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FDS6984S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.5A, 8.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs19mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1233pF @ 15V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15.5mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2260pF @ 25V

전력-최대

50W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-4

DMP2200UDW-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

900mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

260mOhm @ 880mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

184pF @ 10V

전력-최대

450mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

TrenchPLUS

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

65V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.6mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3643pF @ 25V

전력-최대

5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

FDMS8095AC

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A, 1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2020pF @ 75V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

8-MLP (5x6), Power56

APTMC120AM16CD3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

131A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 5mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

246nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4750pF @ 1000V

전력-최대

625W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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