FDV301N
참조 용
| 부품 번호 | FDV301N |
| PNEDA 부품 번호 | FDV301N |
| 설명 | MOSFET N-CH 25V 220MA SOT-23 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 12,218,058 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 17 - 3월 22 (신속 배송 선택) |
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FDV301N 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDV301N |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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FDV301N 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 25V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 220mA (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.7V, 4.5V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.06V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±8V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9.5pF @ 10V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 350mW (Ta) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 17.5A (Ta), 65A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30.5nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 8.2mOhm @ 15A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 130nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7980pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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