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FDWS9408-F085

FDWS9408-F085

참조 용

부품 번호 FDWS9408-F085
PNEDA 부품 번호 FDWS9408-F085
설명 MOSFET N-CHANNEL 40V 80A 8PQFN
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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예상 배송 4월 16 - 4월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDWS9408-F085 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDWS9408-F085
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDWS9408-F085, FDWS9408-F085 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 1,401.6 KB)
PDFFDWS9408-F085 데이터 시트 표지
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FDWS9408-F085 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs92nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5150pF @ 20V
FET 기능-
전력 손실 (최대)214W (Tj)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Power56
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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Vishay Siliconix

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

71.9A (Ta), 100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.67mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8150pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

790pF @ 50V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

90W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™, Polar3™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

36A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

110mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2040pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

347W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFET™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

63A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

65mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

780W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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ON Semiconductor

제조업체

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-

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

53A (Ta), 362A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 280µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

149nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9400pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.9W (Ta), 179W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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