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FDZ1416NZ

FDZ1416NZ

참조 용

부품 번호 FDZ1416NZ
PNEDA 부품 번호 FDZ1416NZ
설명 MOSFET 2N-CH 4-WLCSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 50,106
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDZ1416NZ 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDZ1416NZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDZ1416NZ, FDZ1416NZ 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 306.54 KB)
PDFFDZ1416NZ 데이터 시트 표지
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FDZ1416NZ 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대500mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-XFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지4-WLCSP (1.6x1.4)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

140A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7600pF @ 25V

전력-최대

150W

작동 온도

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta), 27A (Tc), 26A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.8mOhm @ 15A, 10V, 3mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC, 36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF, 2410pF @ 15V

전력-최대

3W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

8-HSOP

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Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

945pF @ 20V

전력-최대

1.42W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 1.95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

205pF @ 20V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.1A (Ta), 7.1A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8.1A, 10V, 25mOhm @ 7.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.2nC @ 10V, 30.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1250pF @ 15V, 1573pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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