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FDZ193P

FDZ193P

참조 용

부품 번호 FDZ193P
PNEDA 부품 번호 FDZ193P
설명 MOSFET P-CH 20V 3A 8-WLCSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDZ193P 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDZ193P
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDZ193P, FDZ193P 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 424.61 KB)
PDFFDZ193P 데이터 시트 표지
FDZ193P 데이터 시트 페이지 2 FDZ193P 데이터 시트 페이지 3 FDZ193P 데이터 시트 페이지 4 FDZ193P 데이터 시트 페이지 5 FDZ193P 데이터 시트 페이지 6 FDZ193P 데이터 시트 페이지 7 FDZ193P 데이터 시트 페이지 8 FDZ193P 데이터 시트 페이지 9

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FDZ193P 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.7V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs10nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds660pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.9W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스6-UFBGA, WLCSP

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MOSFET (Metal Oxide)

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30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

0.69mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.9V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

121nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

400V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

57A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

495nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8890pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

520W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

TPH3208PD

Transphorm

제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

IPU135N08N3 G

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

50A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

6V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 33µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1730pF @ 40V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

79W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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제조업체

Infineon Technologies

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

85A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 43A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3210pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

180W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

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