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FDZ197PZ

FDZ197PZ

참조 용

부품 번호 FDZ197PZ
PNEDA 부품 번호 FDZ197PZ
설명 MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 4,806
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDZ197PZ 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDZ197PZ
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDZ197PZ, FDZ197PZ 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 416.39 KB)
PDFFDZ197PZ 데이터 시트 표지
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FDZ197PZ 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)3.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs64mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs25nC @ 4.5V
Vgs (최대)±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1570pF @ 10V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.9W (Ta)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-WLCSP (1.0x1.5)
패키지 / 케이스6-UFBGA, WLCSP

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

37.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±35V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3W (Ta), 50W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3PF-3

패키지 / 케이스

SC-94

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

300mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 300mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

24pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

200mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

UMT3

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

IXTP26P10T

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

TrenchP™

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

26A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

52nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3820pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

150W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

TK560P65Y,RQ

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

DTMOSV

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

560mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 240µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

380pF @ 300V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

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기술

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드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

170mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 170mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 50µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.67nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

69pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

360mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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