FDZ2553NZ
참조 용
| 부품 번호 | FDZ2553NZ |
| PNEDA 부품 번호 | FDZ2553NZ |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 9.6A BGA |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,256 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDZ2553NZ 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDZ2553NZ |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDZ2553NZ 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9.6A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 18nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1240pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 18-WFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 18-BGA (2.5x4) |
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제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10.1nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4.8V Vgs (th) (최대) @ Id 810mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 710pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
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