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FEPF16JT-E3/45

FEPF16JT-E3/45

참조 용

부품 번호 FEPF16JT-E3/45
PNEDA 부품 번호 FEPF16JT-E3-45
설명 DIODE ARRAY GP 600V 8A ITO220AB
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가
1 ---------- $17.9553
100 ---------- $17.1137
250 ---------- $16.2720
500 ---------- $15.4304
750 ---------- $14.7290
1,000 ---------- $14.0276
재고 있음 720
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FEPF16JT-E3/45 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FEPF16JT-E3/45
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
FEPF16JT-E3/45, FEPF16JT-E3/45 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 158.31 KB)
PDFFEP16JT-5410HE3/45 데이터 시트 표지
FEP16JT-5410HE3/45 데이터 시트 페이지 2 FEP16JT-5410HE3/45 데이터 시트 페이지 3 FEP16JT-5410HE3/45 데이터 시트 페이지 4 FEP16JT-5410HE3/45 데이터 시트 페이지 5 FEP16JT-5410HE3/45 데이터 시트 페이지 6

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  • FEPF16JT-E3/45 Distributor

FEPF16JT-E3/45 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)8A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.5V @ 8A
속도Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)50ns
전류-역방향 누설 @ Vr10µA @ 600V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
공급자 장치 패키지ITO-220AB

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

80V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

250mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.25V @ 150mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

4ns

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 70V

작동 온도-접합

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장착 유형

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패키지 / 케이스

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SOT-523

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제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

50A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

840mV @ 50A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SOT-227-4, miniBLOC

공급자 장치 패키지

SOT-227

MBR30H35CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

620mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

80µA @ 35V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

MBRB30H50CT-E3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

680mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

60µA @ 50V

작동 온도-접합

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

MBR2X030A045

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

2 Independent

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

45V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

60A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

700mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 45V

작동 온도-접합

-40°C ~ 150°C

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